منبع تغذیه 0-v12 با دقت mv10 کاملا عملی
منبع تغذیه 0-v12 با دقت mv10 کاملا عملی به همراه PCB
برای ایجاد و کنترل ولتاژ dc با جریان زیاد توسط میکرو کنترلر AVR ار آنجایی که میکرو دارای واحد داخلی DAC نیست، مطابق شکل از ترکیب مقاومت و OP_AMP مدار مبدل دیجیتال به آنالوگ 8 بیتی طراحی کردیم که متناسب با مقدار باینری که در پورت خروجی ایجاد می شود خروجی از vcc تا gnd تغییر کند.سپس توسط دو ترانزیستور که در آرایش دارلینگتون قرار گرفته اندبرای تقویت جریان استفاده کرده ایم. همانطور که در برنامه مشاهده می کنید توسط دو شستی UP & DOWN در واقع مقدار دسیمال متغیر Z را یک واحد زیاد یا کم می کنیم . با این کار چون مطابق شرط PORTD=Z است معادل 0 تا 255 دسیمال در PORTD ایجاد می شود که هر یک از پایه های این پورت به یکی از مقسم های مقاومتی وصل می باشند و مقدار ولتاژ ایجاد شده در OP-AMP را اضافه می کنند.
...
فرمت فایل: DOC - BM - BAS - DSN - LYT - HEX - JPEG (ورد+برنامه به زبان بسکام+مدار به همراه پی سی بی و...)
برای دانلود فایل اینجا کلیک کنید
دانلود پایان نامه مهندسی برق بررسی تئوری و عددی نانولوله های کربنی به عنوان یک کانال در ترانزیستور های اثر میدانی
چکیده مقاله:
با گذر زمان و پیشرفت علم و تکنولوژی نیاز بشر به کسب اطلاعات و سرعت پردازش و ذخیره سازی آنها به صورت فزاینده ای بالا رفته است. گوردن مور معاون ارشد شرکت اینتل در سال ۱۹۶۵ نظریه ای ارائه داد مبنی بر اینکه در هر ۱۸ ماه تعداد ترانزیستورهایی که در هر تراشه به کار می رود دو برابر شده و اندازه آن نیز نصف می¬شود .
این کوچک شدگی نگرانی هایی را به وجود آورده است. بر اساس این نظریه در سال ۲۰۱۰ باید ترانزیستورهایی وجود داشته باشد که ضخامت اکسید درگاه که یکی از اجزای اصلی ترانزیستور است به کمتر از یک نانومتر برسد. بنا بر این باید بررسی کرد، اکسید سیلیسیم به عنوان اکسید درگاه در ضخامت تنها کمتر از یک نانومتر انتظارات ما را در صنایع الکترونیک برآورده می کند یا نه. در راستای همین تحقیقات گروه دیگری از دانشمندان به بررسی نیترید سیلیکون به عنوان نامزد جدیدی برای اکسید درگاه پرداختند و نشان دادند که این ماده می تواند جایگزین مناسبی برای اکسید سیلیکون باشد .
جهت تولید ترانزیستورهای نسل امروز احتیاج به دانشی داریم که بتوانیم در ابعاد نانو تولیدات صنعتی از تراشه ها را داشته باشیم. بنا بر این توجه جوامع علمی و اقتصادی جهان بر این شاخه از علم که به فن آوری نانو معروف است، جلب شده است. در این بین نانولوله های کربنی به دلیل خواص منحصر به فرد الکتریکی و مکانیکی که از خود نشان داده اند توجه بسیاری از دانشمندان را به خود جلب کرده اند. در راستای این تحقیقات ما به بررسی خواص الکتریکی نانولوله های کربنی پرداخته ایم. بسیاری از دانشمندان بر این باور هستند که نانولوله های کربنی به دلیل قابلیت رسانش ویژه یک بعدی جای مواد سیلیکونی در تراشه های نسل آینده را خواهند گرفت
سرفصل :
- مقدمه
- مقدمهای بر کربن و اشکال مختلف آن در طبیعت و کاربرهای آن
- مقدمه
- گونه های مختلف کربن در طبیعت
- کربن بیشکل
- الماس
- گرافیت
- فلورن و نانو لوله های کربنی
- ترانزیستورهای اثر میدانی فلز اکسید نیمرسانا و ترانزیستور های اثرمیدانی نانولوله ی کربنی
- بررسی ساختار هندسی و الکتریکی گرافیت و نانولوله های کربنی
- ساختار الکترونی کربن
- اربیتال p کربن
- روش وردشی
- هیبریداسون اربیتالهای کربن
- ساختار هندسی گرافیت و نانولوله ی کربنی
- ساختار هندسی گرافیت
- ساختار هندسی نانولوله های کربنی
- یاختهی واحد گرافیت و نانولوله ی کربنی
- یاختهی واحد صفحه ی گرافیت
- یاخته واحد نانولوله ی کربنی
- محاسبه ساختار نواری گرافیت و نانولوله ی کربنی
- مولکولهای محدود
- ترازهای انرژی گرافیت
- ترازهای انرژی نانولوله ی کربنی
- چگالی حالات در نانولوله ی کربنی
- نمودار پاشندگی فونون ها در صفحه ی گرافیت و نانولوله های کربنی
- مدل ثابت نیرو و رابطه ی پاشندگی فونونی برای صفحه ی گرافیت
- رابطه ی پاشندگی فونونی برای نانولوله های کربنی
- پراکندگی الکترون فونون
- تابع توزیع الکترون
- محاسبه نرخ پراکندگی کل
- شبیه سازی پراکندگی الکترون – فونون
- ضرورت تعریف روال واگرد
- بحث و نتیجه گیری
- نرخ پراکندگی
- تابع توزیع در شرایط مختلف فیزیکی
- بررسی سرعت میانگین الکترونها، جریان، مقاومت و تحرک پذیری الکترون
- بررسی توزیع سرعت در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا
- بررسی جریان الکتریکی در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا
- بررسی مقاومت نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا
- بررسی تحرک پذیری الکترون در نانولوله های زیگزاگ نیمرسانا
- نتیجه گیری
- پیشنهادات
- ضمیمه ی (الف) توضیح روال واگرد.
- منابع
- چکیده انگلیسی
...
برای دانلود فایل اینجا کلیک کنید
آمار
وبلاگ:
